몇몇 팹 툴 벤더들은 10 / 7nm 및 그 이후의 새로운 디바이스로의 전환에 따라 자체 정렬 형 패터닝 기술의 차세대 물결을 선보일 예정입니다. Applied Materials, Lam Research 및 TEL는 다양한 새로운 접근 방식을 기반으로 자체 정렬 기술을 개발하고 있습니다. 최근의 접근 방식은 로직 트랜지스터 자체 내의 새로운 finFET 및 구조를 개발할 때 사용하기 위해 설계된 다중 색상 재료 구조를 이용한 자기 정렬 패터닝 기술을 포함합니다. 다른 이들은 차세대 트랜지스터 및 메모리를위한 새로운 계획을 개발 중입니다. 논리 및 메모리의 형성을 위해 사용되는 자체 정렬 패터닝 기술은 반도체 제조의 "패터닝"이라는 일반 범주에 속합니다. 패.......

몇몇 팹 툴 벤더들은 10 / 7nm 및 그 이후의 새로운 디바이스로의 전환에 따라 자체 정렬 형 패터닝 기술의 차세대 물결을 선보일 예정입니다. Applied Materials, Lam Research 및 TEL는 다양한 새로운 접근 방식을 기반으로 자체 정렬 기술을 개발하고 있습니다. 최근의 접근 방식은 로직 트랜지스터 자체 내의 새로운 finFET 및 구조를 개발할 때 사용하기 위해 설계된 다중 색상 재료 구조를 이용한 자기 정렬 패터닝 기술을 포함합니다. 다른 이들은 차세대 트랜지스터 및 메모리를위한 새로운 계획을 개발 중입니다. 논리 및 메모리의 형성을 위해 사용되는 자체 정렬 패터닝 기술은 반도체 제조의 "패터닝"이라는 일반 범주에 속합니다. 패.......

• 3 개의 EUV 시스템이 1 분기에 선적되었으며, 1 회 선적이 진행 중이고, 1 개의 수익이 인식되었습니다. • 1 분기에 EUV 주문 9 건 접수 • 또한 R & D에 대한 4 건의 고 NA 주문 3 고객의 시스템 및 8 옵션 판매 초기 볼륨 시스템 • 2018 년 20 개 시스템 출하 예정, 2019 년 30 개 시스템 이상 생산 가능

http://www.thebell.co.kr/free/content/ArticleView.asp?key=201804170100033270002055&lcode=00&page=4&svccode=00삼성전자가 폴더블(접히는)폰 도입에 신중을 기하고 있다. 내년에 출시될 10주년 기념작 갤럭시S10에도 폴더블 기능을 도입하지 않을 전망이다. 삼성전자는 이르면 내년 파일럿 형태의 폴더블폰을 출시할 전망이다. 양산 모델이 아닌만큼 시장성을 파악하고 기술력을 대내외에 선보이려는 목적으로 보인다. 17일 증권업계와 부품업계에 따르면 삼성전자는 폴더블폰 관련 일부 부품에 대한 양산 일정을 올해 11월로 잡고 관련 협력사에 포캐스트(Forecast)를 전달했다. 세트업체들은 통상 원활한 제품생산을 위해 협.......

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합리적인 가동 시간에 도달하는 한 7nm 로직에 대한 접점 및 비아 용 EUV 채택을위한 주요 부분이 마련되어 있습니다. 펠리클이 필요하면 펠리 클 솔루션을 사용할 수 있습니다.• 금속 용 EUV가있는 7+는 펠리클이 필요합니다. 페리 클 솔루션은 제 시간에 제공 될 것입니다. • 5nm 공정에서 포토 레지스트에 대한 많은 연구가 필요합니다. 더 나은 펠리클 투과율 및 화학 선 조사가 매우 바람직합니다. • EUV의 상승은 처음에는 로직에 중점을두고 비교적 느리게 진행됩니다. 재료 및 장비에 미치는 영향은 매우 작을 것이며 다른 제품 세그먼트에 의해 상쇄 될 가능성이 높습니다. 확실히 자료는 외국쪽이...우리 나라는 뭐 이런 자료가 있.......

합리적인 가동 시간에 도달하는 한 7nm 로직에 대한 접점 및 비아 용 EUV 채택을위한 주요 부분이 마련되어 있습니다. 펠리클이 필요하면 펠리 클 솔루션을 사용할 수 있습니다.• 금속 용 EUV가있는 7+는 펠리클이 필요합니다. 페리 클 솔루션은 제 시간에 제공 될 것입니다. • 5nm 공정에서 포토 레지스트에 대한 많은 연구가 필요합니다. 더 나은 펠리클 투과율 및 화학 선 조사가 매우 바람직합니다. • EUV의 상승은 처음에는 로직에 중점을두고 비교적 느리게 진행됩니다. 재료 및 장비에 미치는 영향은 매우 작을 것이며 다른 제품 세그먼트에 의해 상쇄 될 가능성이 높습니다. 확실히 자료는 외국쪽이...우리 나라는 뭐 이런 자료가 있.......

https://www.semiwiki.com/forum/content/7403-samsung-starting-7nm-production-euv-june.html 현재까지 ASML이 발표 한 처리량 수치는 96m 단계와 펠리클이없는 20mJ / cm2 선량을 기준으로합니다. 로직 디바이스는 일반적으로 약 110 단계가 필요하며 삼성은 금속층에 EUV를 사용할 것으로 예상되므로 펠리클이 필요합니다. 나는 삼성이 50mJ / cm2 용량을 사용하고 있다는 루머를 들었다. 높은 선량, 펠리클 및 더 많은 단계의 전반적인 영향은 처리량이 시간당 약 60 웨이퍼 (wph)에 불과하다는 것입니다 (이 슬라이드는 ASML이 96 단계, 140mph / 20mJ / cm2 및 펠리클 ). 삼성이 사실상 50mJ / cm2로 가동되고 있다고 가정하면 최악의 확.......